Polarización del transistor
Polarización del transistor.
Este entorno de simulación en GeoGebra permite obtener el punto de trabajo en reposo “Q” de un transistor polarizado en configuración de divisor de tensión. Para ello se deben cargar los valores de las resistencias en las casillas de entrada correspondientes y los valores de la tensión de alimentación y hFE del transistor.
El simulador calcula los valores de ICQ , IBQ y VCEQ y realiza la gráfica de la recta de carga con el punto de trabajo Q.
También se puede introducir el valor del hFE de un transistor de reemplazo, que puede ser diferente, y observar cómo se comporta la polarización frente a un cambio de este tipo.
Wurm Guillermo.